L'analyse du core i3-8121u au microscope révèle les secrets du tri à 10 nm

Le nouveau processus de fabrication 10 nm Tri-Gate d'Intel résiste plus que prévu car il a déjà plus de deux ans de retard par rapport à son lancement initialement prévu. Les chercheurs ont vidé un Core i3-8121U fabriqué avec ce processus, pour essayer de clarifier certaines de ses clés.

Le processus de fabrication 10 nm Tri-Gate d'Intel est très ambitieux

Une analyse au microscope du processeur Core i3-8121U a montré que le processus de fabrication Intel Tri-Gate 10 nm offre une augmentation de la densité des transistors jusqu'à 2, 7 fois par rapport au processus actuel à 14 nm Tri-Gate. Cette grande avancée a permis d'intégrer pas moins de 100, 8 millions de transistors par millimètre carré, ce qui se traduit par une quantité de 12, 8 milliards de transistors dans une taille de matrice de seulement 127 mm².

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Ce nœud à 10 nm utilise la technologie FinFET de troisième génération, qui se caractérise par une réduction du pas de grille minimum de 70 nm à 54 nm et un pas métallique minimum de 52 nm à 36 nm. Avec ces 10 nm, Intel va introduire la métallisation du cobalt dans les couches de masse et d'ancrage du substrat de silicium. Le cobalt est une bonne alternative au tungstène et au cuivre comme matériau de contact entre les couches, en raison de sa résistance plus faible dans les petites tailles.

Il s'agit du processus de fabrication le plus ambitieux d'Intel et ce serait la principale cause de tous les problèmes qu'il cause à l'entreprise, bien qu'il soit de peu d'utilité autant d'ambition s'ils n'atteignent pas un degré de maturité suffisant. Espérons qu'Intel sera en mesure de le peaufiner afin de nous offrir ses meilleurs processeurs.

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