Rambus parle des caractéristiques de la mémoire DDR5

Il y a quelques jours, nous avons reçu les premiers détails de la nouvelle technologie de mémoire empilée haute performance HBM3, maintenant nous vous apportons les détails du nouveau DDR5 qui arrivera au cours des prochaines années pour les nouvelles générations de processeurs.

La DDR5 atteindra 4800 MHz à 1, 2 V

RAMBUS a dévoilé les premières caractéristiques de la future mémoire DDR5 qui est déjà à un stade assez avancé de son développement, ces nouvelles mémoires arriveront avec une fréquence de base d'environ 4800 MHz donc elles seront un bon coup de pouce par rapport à la DDR4 actuelle, On peut dire que le DDR5 le plus lent sera aussi rapide que le plus rapide du DDR4 environ.

Au fil des années, ce nouveau DDR5 gagnera en avantages comme il arrive avec toutes les générations, son plafond pourrait être proche de 6400 MHz, ce qui se traduit par une bande passante maximale de 51, 2 Go / s, doubler les 25, 6 Go / s atteints avec la technologie DDR4 actuelle.

Pour rendre tout cela possible, un engagement fort a été pris pour améliorer l'efficacité énergétique, la DDR5 pourra atteindre 4800 MHz avec une tension de seulement 1, 2 V, une amélioration importante par rapport au 1, 5 V que la DDR4 actuelle doit atteindre 4600 MHz Enfin, nous soulignons que la capacité maximale de chaque module sera portée à 128 Go afin que nous puissions voir des configurations de 512 Go en utilisant seulement quatre modules.

Les premières mémoires DDR5 arriveront tout au long de 2019 avec un processus de fabrication à 10 nm, puis migreront vers les 7 nm les plus efficaces.

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