Samsung abandonne la technologie finfet à 3 nm, prévue pour 2022
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Lors de l' événement Samsung Foundry Forum 2018, le géant sud-coréen a dévoilé une série de nouvelles améliorations dans sa technologie de processus destinées au calcul haute performance et aux appareils connectés. L'entreprise abandonnera la technologie FinFET à 3 nm.
Samsung remplacera le FinFET par un nouveau transistor à 3 nm, tous les détails
La nouvelle feuille de route de Samsu ng vise à fournir aux clients des systèmes plus économes en énergie pour les appareils ciblant une grande variété d'industries. Charlie Bae, vice-président exécutif et directeur des ventes et du marketing de la fonderie, a déclaré: "La tendance vers un monde plus intelligent et plus connecté rend l'industrie plus exigeante vis-à-vis des fournisseurs de silicium."
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La prochaine technologie de processus de Samsung est Low Power Plus 7 nm basée sur la lithographie EUV, qui entrera dans la phase de production de masse au cours du second semestre de cette année et se développera au cours du premier semestre de 2019. La prochaine étape sera le processus Low. Power Early 5nm qui améliorera l'efficacité énergétique de 7nm à un nouveau niveau. Ces processus seront toujours basés sur la technologie FinFET, tout comme le prochain à 4 nm.
La technologie FinFET sera abandonnée avec le passage au processus 3nm Gate-All-Around Early / Plus, qui sera basé sur un nouveau type de transistor qui permet de résoudre les problèmes d'échelle physique présents avec FinFET. Il reste encore quelques années avant que ce processus de fabrication arrive à 7 nm, les premières estimations pointent vers l'année 2022, bien que le plus normal soit qu'il y ait des retards.
Nous nous rapprochons de la limite du silicium, estimée à 1 nm, ce qui rend plus difficile la progression vers de nouveaux processus de fabrication, et les écarts se réduisent.
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