Samsung annonce un processus mbcfet de 3 nm, 5 nm arriveront en 2020
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Sur le marché des SoC mobiles, TSMC évolue rapidement lorsqu'il s'agit d'introduire de nouveaux nœuds de processus de fabrication. Aujourd'hui, le géant coréen de la technologie Samsung a annoncé son intention de créer divers nœuds de processus. Il s'agit notamment du FinFET 5 nm et d'une variation GAAFET de 3 nm que Samsung a enregistrée comme MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET).
Samsung annonce un processus MBCFET de 3 nm
Aujourd'hui, lors du Samsung Foundry Forum à Santa Clara, la société a annoncé des plans pour son processus de fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération. La grande annonce concerne le développement du GAA 3 nm de Samsung, baptisé 3GAE par la société. Samsung a confirmé avoir publié le mois dernier des kits de conception pour le nœud.
Samsung a collaboré avec IBM pour les nœuds de processus GAAFET (Gate-All-Around), mais aujourd'hui, la société a annoncé ses adaptations au processus précédent. Cela s'appelle MBCFET et, selon la société, il permet un courant plus élevé par batterie en remplaçant le nanofil Gate All Around par un nanoschéma. Le remplacement augmente la zone de conduite et permet l'ajout de plus de portes sans augmenter l'empreinte latérale. Des données très techniques, mais avec un résultat qui devrait grandement améliorer le développement des FinFET.
La conception du produit pour le processus FinFET 5 nm de Samsung, qui a été développé en avril, devrait être terminée au deuxième semestre de cette année et mise en production de masse au premier semestre 2020.
Au cours du second semestre de cette année, Samsung prévoit de commencer la production en série d'appareils de traitement 6 nm et de terminer le développement du processus 4 nm. La conception du produit pour le processus FinFET 5 nm de Samsung, qui a été développé en avril, devrait être terminée au deuxième semestre de cette année et mise en production de masse au premier semestre 2020.
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