Samsung a créé ses premiers nœuds gaafet 3 nm

D'ici 2030, Samsung prévoit de devenir le premier producteur mondial de semi-conducteurs, surpassant les sociétés comme TSMC et Intel. Pour y parvenir, l'entreprise doit progresser sur le plan technologique, c'est pourquoi elle a annoncé la création des premiers prototypes de puces GAAFET 3 nm.

Samsung a annoncé avoir fabriqué ses premiers prototypes en GAAFET 3 nm

Samsung investit dans diverses nouvelles technologies, surpassant la structure FinFET de la plupart des transistors modernes vers une nouvelle conception appelée GAAFET. Cette semaine, Samsung a confirmé avoir produit ses premiers prototypes en utilisant son nœud GAAFET de 3 nm prévu, une étape importante vers la production éventuelle en série.

Comparé au prochain nœud 5 nm de Samsung, le GAAFET 3 nm est conçu pour offrir des niveaux de performances plus élevés, une meilleure densité et des réductions considérables de la consommation d'énergie. Samsung estime que son nœud GAAFET 3 nm offrira une augmentation de 35% de la densité du silicium et une réduction de 50% de la consommation d'énergie par rapport à son nœud 5 nm. De plus, la réduction du nœud seul devrait augmenter les performances jusqu'à 35%.

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Samsung, lors de l'annonce initiale de son nœud GAAFET de 3 nm, a annoncé qu'il prévoyait de démarrer la production de masse en 2021, ce qui est un objectif ambitieux pour un nœud aussi avancé. En cas de succès, Samsung a la possibilité de s'emparer de parts de marché auprès de TSMC, en supposant que sa technologie peut fournir de meilleures performances ou densité que les offres de TSMC.

La technologie GAAFET de Samsung est une évolution de la structure FinFET qui est actuellement utilisée dans la plupart des puces modernes. Cela fournit aux utilisateurs une structure à quatre portes autour des canaux de transistor. C'est ce qui donne à GAAFET son nom Gate-All-Around, car l'architecture à 4 portes couvre tous les côtés du canal et réduit les fuites d'énergie. Cela permet d'utiliser un pourcentage plus élevé de la puissance d'un transistor, ce qui augmente l'efficacité énergétique et les performances.

Traduit en espagnol, cela signifie que les processeurs et graphiques 3 nm obtiendront des améliorations significatives en termes de performances et de consommation d'énergie. Nous vous tiendrons informés.

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