Samsung et SK Hynix ont des problèmes avec la mémoire Dram 18 nm pour les serveurs

Les fabricants de puces mémoire Samsung Electronics et SK Hynix ont été confrontés à plusieurs problèmes dans leurs technologies basées sur les processus de fabrication de 18 nm pour la production de DRAM de serveurs haut de gamme.

Samsung Electronics et SK Hynix ont du mal à fabriquer des DRAM pour des serveurs 18 nm

La disponibilité actuelle de la mémoire DRAM de serveur haut de gamme est très faible, et elle le sera encore plus en raison des problèmes rencontrés par Samsung Electronics et SK Hynix, avec leur processus de fabrication à 18 nm. Ces problèmes rendront l'offre inférieure à ce qu'elle devrait être, de sorte que la disponibilité de ce type de mémoire sur le marché sera très faible et les prix très élevés.

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Les fournisseurs américains et chinois ont déjà demandé à leurs fournisseurs de mémoire de suspendre les expéditions jusqu'à ce que leurs taux de débit de traitement de 18 nm s'améliorent, ce qui peut prendre 1 à 2 mois, voire plus, pour que les deux fabricants améliorent leurs taux. performance.

Certains observateurs de l'industrie suggèrent que les débits du processus 18 nm de Samsung et SK Hynix pourraient être faibles et instables pour la production de DRAM de serveur, mais suffisants pour fabriquer des puces destinées aux PC. Certains observateurs estiment que le problème ne devrait pas avoir d'impact significatif sur l'offre globale de DRAM.

Plusieurs sociétés chinoises, notamment Alibaba, Huawei, Lenovo et Tencent, ont récemment déménagé pour concurrencer les fournitures de DRAM de serveur 20 nm, en raison des taux de production de DRAM de 18 nm instables. Il reste à voir comment ce sujet évoluera au cours des prochaines semaines, espérons qu'il n'augmentera pas davantage les prix de la RAM sur PC.

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