Samsung fabrique déjà des mémoires hbm2 de 8 Go à 2,4 Gbit / s

Samsung a franchi une nouvelle étape majeure dans la technologie de mémoire empilée à large bande passante, mieux connue sous le nom de HBM. La firme coréenne a déjà commencé la production de masse de piles de mémoire HBM2 de deuxième génération d'une capacité de 8 Go à une vitesse de 2, 4 Gbps.

Samsung lance la production de la deuxième génération de HBM2

Samsung a annoncé qu'il avait déjà commencé à fabriquer en série ses puces de mémoire HBM2 de deuxième génération, celles-ci ont une capacité de 8 Go par pile et une fréquence de fonctionnement effective de 2, 4 Gbit / s pour accélérer les capacités du supercalculateur basé sur GPU de nouvelle génération.

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Cette nouvelle mémoire HBM2 de deuxième génération fonctionne à une tension de 1, 2 V, permettant une plus grande efficacité énergétique par rapport à la HBM2 de première génération qui utilisait la même tension, mais n'a atteint qu'un taux de 1, 6 Gbps. Grâce à cela, une seule pile de cette nouvelle mémoire atteint une bande passante de 307 Go / s, soit près de dix fois plus que la mémoire GDDR5 qui a été utilisée ces dernières années dans presque toutes les cartes graphiques du marché.

Pour rendre cela possible, la technologie TSV (Through Silicon Via) a été utilisée pour établir plus de 5000 connexions par puce, ce qui n'a pas été facile à réaliser avec succès dans un si petit boîtier et qui démontre le leadership de Samsung.

De cette façon, Samsung rend possible une nouvelle génération de cartes graphiques avec une bande passante mémoire allant jusqu'à 1, 2 To / s, ce qui augmentera considérablement ses capacités. Pour l'instant, les cartes de jeu ne devraient pas utiliser cette nouvelle technologie, pour elles le GDDR6 attend.

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