SK Hynix annonce sa nouvelle mémoire DDR4 de 8 Go exécutée en 1ynm

Le géant de la mémoire SK Hynix a annoncé le développement de sa mémoire DRAM DDR4 8 Go 1 Ynm, ce qui signifie qu'elle peut être fabriquée en utilisant une lithographie de 14 nm et 16 nm. La nouvelle puce offre une amélioration de 20% de la productivité par rapport à son homologue 1Xnm de génération précédente et également une amélioration de plus de 15% de la consommation d'énergie.

Nouvelle mémoire RAM SK Hynix 1Ynm 8 Go DDR4

La nouvelle DRAM SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 prend en charge un taux de transfert de données allant jusqu'à 3200 Mbps, ce qui, selon la société, est la vitesse de traitement des données la plus rapide sur l'interface DDR4. SK Hynix a adopté un schéma de «synchronisation en 4 phases», qui duplique le signal d'horloge pour augmenter la vitesse et la stabilité du transfert de données.

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SK Hynix a également présenté sa technologie développée en interne « Sense Amp Control » pour réduire la consommation d'énergie et les erreurs de données. Grâce à cette technologie, l'entreprise a pu améliorer les performances de l'amplificateur sensoriel. SK Hynix a amélioré la structure du transistor pour réduire la possibilité d'erreurs de données, un défi qui accompagne la réduction de la technologie. La société a également ajouté une alimentation à faible puissance au circuit pour éviter toute consommation d'énergie inutile.

Selon le vice-président de SK Hynix, Sean Kim, cette DRAM DDR4 1 Gn et 8 Gb offre des performances et une densité optimales. SK Hynix prévoit de commencer à expédier à partir du premier trimestre de l'année prochaine pour répondre activement à la demande du marché. SK Hynix prévoit d'offrir son processus de technologie 1Ynm pour les serveurs et les PC, puis à d'autres applications telles que les appareils mobiles.

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