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SK Hynix annonce ses mémoires HBM2E à bande passante de 460 Go / s

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Anonim

SK Hynix a annoncé aujourd'hui avoir développé la DRAM HBM2E à bande passante la plus élevée de l'industrie. Le nouveau HBM2E offre une bande passante environ 50% plus grande et 100% de capacité supplémentaire par rapport au HBM2E précédent.

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Le SK Hynix HBM2E prend en charge plus de 460 Go (gigaoctets) par seconde de bande passante sur la base d'une vitesse de 3, 6 Gbit / s (gigabits par seconde) par broche avec 1024 E / S de données (entrées / sorties). Grâce à la technologie TSV (Through Silicon Via), un maximum de huit puces de 16 gigabits sont empilées verticalement, formant un paquet unique et dense de 16 Go de capacité de données.

Le SK Hynix HBM2E est une solution de mémoire optimale pour la quatrième ère industrielle, prenant en charge les GPU haut de gamme, les superordinateurs, l'apprentissage automatique et les systèmes d'intelligence artificielle qui nécessitent le plus haut niveau de performances de mémoire. Contrairement aux produits DRAM, qui prennent la forme de modules et sont montés sur des cartes système, la puce HBM est étroitement interconnectée avec des processeurs tels que les GPU et les puces logiques, espacés de quelques unités µm seulement, ce qui permet transfert de données encore plus rapide.

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