SK Hynix développe une mémoire DDR4 1 Go NZ 16 Go (Gigabit)

SK hynix a annoncé avoir développé une nouvelle mémoire DDR4 1Znm 16Gb (Gigabits). 1Znm offrira la densité et la capacité totale par tranche les plus élevées du marché pour les modules DRAM DDR4 existants.

SK hynix développe une mémoire DDR4 1Znm 16 Go (Gigabits)

La société affirme que la productivité des nouveaux modules de mémoire 1Znm a été améliorée d'environ 27% par rapport à la ligne 1Ynm de génération précédente. Cependant, le processus de fabrication ne nécessite pas de lithium ultraviolet extrême (EUV) coûteux, ce qui rend la production de 1Znm plus rentable que jamais.

La mémoire SK hynix 1Znm prend en charge des taux de transfert de données allant jusqu'à 3200 Mbps, ce qui est la vitesse de traitement des données la plus rapide de l'interface DDR4. Les nouveaux modules de mémoire 1Znm ont augmenté l'efficacité énergétique, réduisant ainsi avec succès la consommation d'énergie d'environ 40% par rapport aux modules de la même densité que la DRAM 1YNnm 8Gb précédente.

Dans le processus de fabrication, une nouvelle substance a été appliquée, non utilisée dans la génération précédente, ce qui maximise la capacité du produit 1Znm. La capacité est la quantité de charge électrique qu'un condensateur peut stocker, qui est un élément clé du fonctionnement de la DRAM. Une nouvelle conception a également été introduite dans le processus pour augmenter la stabilité opérationnelle.

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SK hynix prévoit d'étendre le processus technologique 1Znm à une gamme d'applications, y compris la prochaine génération de DRAM LPDDR5 portable et HBM3, qui sera la DRAM la plus rapide à l'avenir.

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