Snapdragon 835: observez les vitesses atteintes par votre modem x16 lte
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Le nouveau processeur Snapdragon 835 est sur la bouche de tous les `` technophiles '' pour les améliorations de performances qu'il apportera aux nouveaux téléphones haut de gamme qui seront présentés cette année, y compris le Samsung Galaxy S8. L'un des aspects qui n'a guère été discuté est le nouveau modem X16 LTE qui vient dans cette puce et qui promet d'améliorer considérablement les vitesses de connexion Internet.
Modem X16 LTE avec des vitesses proches de Gigabit par seconde
Qualcomm voulait démontrer les avantages du nouveau modem X16 LTE avec un test de vitesse de transfert qui peut être réalisé avec ce nouveau modem intégré. Comme vous pouvez le voir sur le test, le modem X16 LTE atteint des vitesses de téléchargement proches de Gigabit par seconde. Nous pouvons également voir que les vitesses de téléchargement sont de 120 Mo / s, ce qui est proche des 150 Mo / s promis par Qualcomm lorsque j'ai présenté le Snapdragon 835.
Snapdragon 835 va offrir 20% de performances supplémentaires par rapport aux processeurs Qualcomm précédents et 25% de performances graphiques supplémentaires avec son GPU Adreno 540. L'efficacité énergétique est améliorée et avec le nouveau modem X16 LTE, il permet désormais également des vitesses Internet plus rapides.
Il est connu que l'un des premiers téléphones haut de gamme à utiliser ces processeurs sera le Samsung Galaxy S8, avec un accord d'exclusivité qui a laissé des fabricants tels que LG ou HTC sans les avoir.
Une bonne vitesse Internet est essentielle pour un Smartphone, qui facilite la consommation de contenu multimédia en haute résolution et pour pouvoir diffuser (appels vidéo) avec une qualité d'image supérieure.
Modem Snapdragon x24 lte avec des vitesses de 2 Gbps annoncé
Qualcomm a annoncé aujourd'hui le modem Qualcomm Snapdragon X24 LTE, le premier modem au monde de catégorie 20 LTE qui prend en charge jusqu'à 2 gigabits par seconde (Gbps) de vitesse de téléchargement et la première puce basée sur un processus FinFET de 7 nanomètres.
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