Snapdragon 835 a filtré ses caractéristiques: 8 cœurs et 10 nm finfet

Qualcomm veut commencer l'année avec beaucoup d'autorité sur le marché des smartphones juteux, et il n'y a pas de meilleure façon de le faire qu'en annonçant ce que sera son nouveau processeur haut de gamme. Le Qualcomm Snapdragon 835 donnera vie à une nouvelle génération d'appareils plus performants que jamais grâce à ses huit cœurs hautes performances et à l'efficacité du processus FinFET 10 nm.

Le Snapdragon 835 sera annoncé la semaine prochaine au CES 2017, le nouveau processeur est construit avec le processus FinFET 10nm de 2e génération avancé pour faire un bond en avant dans l'efficacité énergétique. Grâce à cela, le processeur consommera 20% de moins que le Snapdragon 820 bien qu'il soit clairement supérieur avec l'inclusion d'un total de huit cœurs Kryo 280 qui sont divisés en deux grappes quadricœurs à 2, 45 GHz et 1, 90 GHz.

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Dans la section graphique, nous trouvons le GPU Adreno 540 pour offrir de grandes performances dans les jeux vidéo et une compatibilité avec les dernières API telles que DirectX 12 et Vulkan. Nous continuons avec un DSP Hexagon 690 qui permet la lecture de contenu à une résolution 4K et 60 FPS. Les informations divulguées sont complétées par la connexion 4G LTE Cat.16 avec une vitesse de téléchargement maximale de 1000 Mbps.

Source: videocardz