Toshiba développe déjà la technologie ssd flash 5 bits par cellule (plc)
Table des matières:
Toshiba a déjà commencé à planifier les futures générations de BiCS Flash. Chaque nouvelle génération coïncidera avec les nouvelles générations de la norme PCIe, à commencer par BiCS 5, qui sera bientôt publié en alignement avec PCIe 4.0, mais la société n'a pas fourni de calendrier précis. BiCS5 aura une bande passante plus élevée de 1 200 MT / s, tandis que BiCS6 atteindra 1 600 MT / s, et BiCS7 devrait atteindre 2 000 MT / s.
Toshiba développe déjà la technologie Flash SSD 5 bits par cellule (PLC)
La société a également commencé à rechercher la technologie flash NAND de niveau Penta (PLC) et vérifié le fonctionnement de la technologie NAND à cinq bits par cellule en modifiant son NAND QLC actuel. Le nouveau flash offre plus de densité avec la possibilité de stocker cinq bits par cellule, au lieu de seulement quatre qui sont présents dans le QLC actuel. Mais pour ce faire, la cellule doit pouvoir stocker 32 niveaux de tension différents et les pilotes SSD doivent les lire avec précision. Avec autant de niveaux de tension pour lire et écrire sur une échelle métrique, la nouvelle technologie est un grand défi. Pour contrôler les seuils plus stricts, la société a dû développer des processus supplémentaires qui pourraient être adaptés à ses TLC et QLC actuels pour augmenter les performances.
QLC est déjà assez lent et a moins de résistance que les autres types de flash. Le PLC aura encore moins de résistance et des performances plus lentes. Cependant, les nouvelles fonctionnalités du protocole NVMe comme les espaces de noms zonés (ZNS) devraient aider à atténuer certains des problèmes. ZNS vise à lui seul à réduire l'amplification d'écriture, à réduire le besoin de surapprovisionnement des supports et l'utilisation de DRAM de contrôleur interne, et bien sûr à améliorer les performances et la latence.
Visitez notre guide sur les meilleurs disques SSD du marché
La société a développé un nouveau procédé qui augmente la densité des matrices dans les prochaines générations de BiCS FLASH sous toutes ses formes. Essentiellement, il divisera la cellule mémoire en deux pour l'agrandir tout en conservant le processus de flash 3D normal. Toshiba n'est pas sûr que cette approche soit pleinement réalisable pour le moment.
Le stockage sur des disques SSD semble évoluer constamment, avec des disques plus gros, plus rapides et plus abordables.
Toshiba développe la première mémoire qlc nand 4 bits par cellule
Toshiba a annoncé aujourd'hui sa nouvelle technologie de mémoire NAND QLC avec une densité de stockage supérieure à celle offerte par TLC.
Micron va fabriquer des mémoires nc olc 8 bits par cellule en 2019
Micron travaille déjà sur la prochaine génération de mémoires NLC Flash OLC, qui offrira 8 niveaux NAND pour une densité de données plus élevée. Micron a
Western Digital développe une mémoire flash pour concurrencer Optane
La nouvelle mémoire de Western Digital est censée se situer quelque part entre la NAND 3D et la DRAM conventionnelle