Micron commence la production de mémoire DDR4 16 Go de classe 1z
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Micron a annoncé qu'il avait commencé la production en série de ses modules RAM DDR4 de 16 Go en utilisant le nœud de processus 1z, qui est actuellement le plus petit nœud de processus de l'industrie. Micron est la première société de DRAM à fabriquer des produits RAM DDR4 16 Go de classe 1z, et estime que cela lui permettra d'offrir "des solutions de grande valeur dans une large gamme d'applications pour le client final".
Micron commence la production de mémoire DDR4 16 Go de classe 1z
Le nœud de processus DDR4 1z 16 Go offre une densité de bits beaucoup plus élevée ainsi qu'une légère augmentation des performances et un coût inférieur par rapport à la génération précédente de nœuds de processus 1Y. Le nouveau nœud permet également une réduction de 40% de la consommation d'énergie par rapport aux générations précédentes de modules RAM DDR4 8 Go.
Le nouveau nœud de processus offre une plus grande flexibilité pour les nouveaux produits DDR4 à utiliser dans une large gamme d'applications, notamment l'intelligence artificielle, les véhicules autonomes, la 5G, les appareils mobiles, les graphiques, les jeux, l'infrastructure réseau et les serveurs. Cependant, Micron semble donner la priorité aux clients des centres de données qui recherchent toujours des performances, une consommation d'énergie et des coûts inférieurs.
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Micron a également annoncé qu'elle avait commencé à expédier en volume des DRAM 4X (LPDDR4X) avec un double débit de données monolithique de faible puissance de 16 Go et la plus haute capacité du secteur en paquets à puces multiples basés sur UFS (uMCP4). Les produits LPDDR4X et uMCP4 1 nm nm sont principalement destinés aux entreprises de smartphones à la recherche d'une meilleure autonomie de la batterie et de composants plus petits à installer sur leurs appareils.
Samsung, principal concurrent de Micron sur le marché des DRAM, a annoncé au printemps dernier qu'il commencerait la production de modules DDR4 1 Gnm et 8 Gb au second semestre de cette année, en préparation du lancement de la prochaine génération de produits de mémoire. DDR5, LPDDR5 et GDDR6.
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