Samsung commence la production de masse de sa mémoire vnand de cinquième génération
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Samsung Electronics, leader mondial des technologies de mémoire avancées, a annoncé aujourd'hui le début de la production de masse de ses nouvelles puces mémoire VNAND de cinquième génération, qui offriront les taux de transfert de données les plus rapides disponibles aujourd'hui.
Le VNAND de cinquième génération de Samsung est déjà produit en série
Ces nouvelles puces mémoire VNAND de cinquième génération de Samsung sont basées sur la technologie d'interface DDR 4.0, ce qui permet de transmettre des données à 1, 4 gigabits par seconde, soit une augmentation de 40% par rapport à sa technologie. quatrième génération 64 couches. Ce VNAND de cinquième génération de Samsung empile pas moins de 90 couches de mémoire, dans une structure pyramidale avec des trous de canaux microscopiques percés verticalement. Ces minuscules trous de canal, qui ne font que quelques centaines de nanomètres (nm) de large, contiennent plus de 85 milliards de cellules CTF qui peuvent stocker trois bits de données chacune.
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L'efficacité énergétique du nouveau VNAND de cinquième génération de Samsung reste comparable à celle de la puce 64 couches, grâce à une réduction de la tension de fonctionnement de 1, 8 volts à 1, 2 volts. Cette nouvelle technologie de mémoire offre également la vitesse d'écriture de données la plus rapide à ce jour, 500 microsecondes, une amélioration de 30% par rapport à la vitesse d'écriture de la génération précédente. À son tour, le temps de réponse aux signaux de lecture a été considérablement réduit jusqu'à 50 microsecondes.
Samsung accélérera rapidement la production de masse de sa cinquième génération de VNAND pour répondre à un large éventail de besoins du marché, alors qu'il continue de diriger le mouvement de la mémoire haute densité dans des secteurs critiques tels que le supercalcul, les serveurs d'entreprise et les dernières applications mobiles.
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