Micron parle de la rupture avec Intel concernant le nand

Micron a parlé de la raison de la rupture avec Intel concernant la collaboration dans le développement de la mémoire NAND. En janvier dernier, Intel et Micron ont annoncé la fin de leur union dans le développement de la mémoire NAND, et les deux sociétés prévoient de continuer à faire évoluer indépendamment leur technologie NAND.

Micron misera sur la technologie Charge-Trap pour fabriquer ses puces NAND

La raison de cette rupture était inconnue jusqu'à présent, bien que tout indique que Intel et Micron voulaient prendre leur technologie NAND dans des directions distinctes. Micron et Intel utilisent la technologie Floating Gate NAND, une technique de production qu'ils promeuvent comme supérieure au modèle Charge-Trap, utilisée par presque tous les autres fabricants tels que Samsung, SK Hynix, Western Digital et Toshiba. Dans la perspective de la quatrième génération, Micron prévoit de passer à Charge-Trap, laissant Intel comme seul partisan de la technologie Floating Gate.

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Jusqu'à présent, Micron était sceptique quant à la longévité de la mémoire NAND 3D Charg-Trap, spéculant que les données pourraient être perdues après six mois sans alimentation. Micron ne croyait donc pas que la NAND développée avec Charge-Trap était utilisable comme support de stockage non volatil à long terme. Actuellement, la plupart des fabricants utilisent Charge-Trap sans aucun signe de problème de perte de données, c'est pourquoi Micron a décidé d'adopter cette technologie qu'il a jusqu'à présent rejetée.

Malgré cette rupture, les deux sociétés continuent de travailler ensemble sur le développement de la mémoire XPoint, avec l'intention de continuer à développer la technologie en tant que support de stockage non volatile et en tant qu'alternative à la DRAM dans certaines applications.

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