Micron démarre la production en série de puces dram de 12 Go LPDDR4X
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Micron a annoncé cette semaine avoir commencé la production en série de ses premiers dispositifs de mémoire LPDDR4X en utilisant sa technologie de processus 10 nm de deuxième génération. Les nouvelles mémoires offrent des taux de transfert de données standard pouvant atteindre 4 266 Gbit / s par broche et consomment moins d'énergie que les puces LPDDR4 précédentes.
Micron commence la production de puces DRAM LPDDR4X 12 Go, moins chères que celles de Mediatek
Les puces LPDDR4X de Micron sont fabriquées à l'aide de la technologie 1Y-nm de l'entreprise et ont une capacité de 12 Go. Le fabricant affirme que ces puces mémoire consomment 10% d'énergie en moins par rapport à leurs produits LPDDR4-4266; En effet, ils ont une tension de sortie d'excitatrice (E / S VDDQ) inférieure, que la norme LPDDR4X réduit de 45%, passant de 1, 1 V à 0, 6 V.
Les appareils LPDDR4X de 12 Go (1, 5 Go) de Micron ont une capacité légèrement inférieure à celle des appareils LPDDR4X concurrents de 16 Go (2 Go), mais sont également moins chers à fabriquer. En conséquence, Micron est en mesure d'offrir des boîtiers LPDDR4X-4266 64 bits avec une capacité de 48 Go (6 Go) et une bande passante de 34, 1 Go / s à un coût inférieur à celui de certains de ses concurrents.
La mémoire DRAM LPDDR4X de 12 Go est le premier produit de Micron à être fabriqué à l'aide de la technologie de processus 10 nm de deuxième génération de la société, de sorte que Micron devrait lancer plus de DRAM fabriquées à l'aide de la même technologie 10. nm. Cela signifie moins de consommation d'énergie et des fréquences plus élevées.
Comme d'autres fabricants de DRAM, Micron n'annonce généralement pas de produits avant l'expédition du premier lot. Par conséquent, au moins un client Micron peut avoir déjà reçu ses appareils avec ce type de mémoire.
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