Samsung annonce ses nouveaux souvenirs v
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La technologie de stockage SSD continue de s'améliorer à pas de géant et Samsung est à la pointe de l'innovation, annonçant la cinquième génération de V-NAND, qui portera le nombre de couches à 96 avec relativement peu d'autres changements de conception. La cinquième génération comprendra le premier flash QLC NAND de Samsung (quatre bits par cellule), avec une capacité de 1 To (128 Go) par puce.
Mémoires V-NAND à 96 couches: plus de stockage, de durabilité et moins de consommation
L'année dernière, Samsung avait annoncé sa quatrième génération de NAND 3D, avec un design à 64 couches. Cette quatrième génération de V-NAND est maintenant en production et sera utilisée dans de nombreux produits au cours des prochains mois. La plupart des produits utilisent des matrices TLC de 256 Go ou 512 Go. Par rapport à la V-NAND à 48 couches de troisième génération, la V-NAND à 64 couches offre les mêmes performances de lecture, mais des performances d'écriture environ 11% supérieures.
La consommation d'énergie a été améliorée "de manière significative", le courant requis pour une opération de lecture diminuant de 12% et pour une opération de programme, la consommation d'énergie requise a diminué de 25%. Samsung affirme que son V-NAND 64 couches dans une configuration TLC peut durer de 7 000 à 20 000 cycles de programmation / effacement, donc avec cette nouvelle mémoire 96 couches, les unités auront une durée de vie plus longue.
Les SSD annoncés par Samsung basés sur les technologies V-NAND précédentes incluent un SSD SAS basé sur QLC de 2, 5 ′ 128 To. Pour cette unité, Samsung empilera 32 matrices par paquet, pour un total de 4 To sur chaque appareil BGA.
Il s'agit d'une nouvelle étape dans un proche avenir pour commencer à retirer les disques de stockage magnétiques.
Source: anandtech
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