Samsung commence la production de ses nouveaux souvenirs emram
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Samsung Electronics a annoncé aujourd'hui qu'il avait commencé la production en série de ses nouvelles mémoires eMRAM en utilisant un processus de fabrication de 28 nanomètres (FD-SOI).
Les mémoires eMRAM de Samsung promettent de révolutionner l'industrie
La mémoire MRAM est en développement depuis de nombreuses années et il s'agit de RAM magnétique non volatile, ce qui signifie qu'elle ne perd pas de données lorsqu'elle n'est pas alimentée, comme c'est le cas avec la RAM normale aujourd'hui.
La solution eMRAM basée sur 28FDS de Samsung offre des avantages de puissance et de vitesse sans précédent à moindre coût. Étant donné qu'eMRAM ne nécessite pas de cycle clair avant d'écrire des données, sa vitesse d'écriture est environ mille fois plus rapide que eFlash. De plus, l'eMRAM utilise des tensions plus faibles que les mémoires Flash et ne consomme pas d'énergie électrique en mode éteint, ce qui entraîne une efficacité énergétique élevée.
Les avantages par rapport aux mémoires utilisées de nos jours comme les mémoires RAM et Flash sont révolutionnaires, avec des latences de 1 ns, une vitesse plus élevée et une plus grande résistance. Les mémoires eMRAM ont été conçues pour remplacer les mémoires RAM et Flash NAND actuelles, bien que nous devrons attendre un peu.
On dit que les premiers modules créés par Samsung auront une capacité très limitée. La société coréenne n'a pas voulu donner trop de détails sur les modules qu'elle fabrique, mais l'intention est de commencer à tester un module de 1 Go avant la fin de 2019. Plus tard, Samsung prévoit également de faire de l'eMRAM en utilisant son processus 18FDS, ainsi que des nœuds basé sur des FinFET plus avancés.
C'est peut-être la naissance d'une nouvelle ère en matière de stockage informatique. Nous suivrons son évolution.
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