Samsung parle de sa technologie v
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Récemment, l'événement Samsung SSD Forum s'est tenu au Japon, au cours duquel la société sud-coréenne a révélé les premiers détails sur ses prochaines unités de mémoire V-NAND à 96 couches basées sur la technologie QLC.
Samsung donne les premiers détails de sa mémoire V-NAND QLC à 96 couches
L'utilisation de la mémoire V-NAND QLC sur V-NAND TLC offre une densité de stockage 33% plus élevée et donc un coût de stockage par Go inférieur, ce qui est très important si vous souhaitez que les SSD remplacent complètement disques durs mécaniques un jour. Les premiers SSD Samsung à adopter sa mémoire V-NAND QLC seront des modèles haute capacité pour les clients qui ont besoin de stocker une grande quantité de données et qui ne sont peut-être pas intéressés par des performances maximales, comme le premier ce type sera derrière ceux basés sur TLC dans les avantages.
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Samsung travaille ouvertement sur des disques SSD U.2 à très haute capacité basés sur la mémoire V-NAND QLC depuis plus d'un an. Ces lecteurs seront utilisés pour les applications WORM (écrire une fois, lire plusieurs) qui ne sont pas optimisées pour des écritures rapides, mais surpassent clairement les baies basées sur disque dur. Samsung s'attend à ce que ses premiers disques NVMe avec QLC offrent des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu'à 2 500 Mo / s, ainsi que jusqu'à 160 000 IOPS à lecture aléatoire.
Une autre gamme de produits Samsung basée sur la technologie V-NAND QLC sera des SSD grand public avec des capacités supérieures à 1 To. Ces disques utiliseront une interface SATA et offriront un débit séquentiel de lecture et d'écriture d'environ 520 Mo / s. Samsung ne s'attend pas à ce que QLC V-NAND remplace TLC V-NAND comme type principal de mémoire flash dans un avenir proche. Le NAND QLC nécessite des contrôleurs plus chers, avec des capacités de traitement considérablement plus élevées, pour assurer une résistance adéquate.
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