Samsung commence la production de masse de sa deuxième génération de dram 10 nm
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Il ne fait aucun doute que Samsung est l'un des meilleurs fabricants de mémoire DRAM et NAND au monde, maintenant le sud-coréen a franchi une nouvelle étape en commençant la production de masse de sa deuxième génération de DRAM à 10 nm.
Samsung produit déjà en masse des DRAM avec sa deuxième génération de 10 nm
Gyoyoung Jin, le président de Samsung, a annoncé que la société avait déjà lancé la production de masse de nouvelles puces de mémoire DRAM en utilisant la deuxième génération de son processus 10 nm. Cette nouvelle technologie augmentera la productivité de 30% par rapport au processus de fabrication précédent à 10 nm, en même temps, les performances augmenteront de 10% tandis que l'efficacité énergétique augmentera de 15%.
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Afin de réaliser ces améliorations, la technologie EUV n'a pas été utilisée, mais les techniques de conception propriétaires de Samsung ont été appliquées. La société affirme que des " espaceurs d'air " ont été utilisés pour diminuer la capacitation parasite, ce qui a réduit l'utilisation excessive d'énergie nécessaire pour augmenter les performances des cellules de mémoire.
La nouvelle DRAM 10 nm de deuxième génération de Samsung peut fonctionner à 3600 Mbps, offrant une amélioration substantielle par rapport aux 3200 Mbps que la mémoire actuelle offre. La prochaine génération de mémoire DDR4 de Samsung permettra la production de kits de mémoire haute vitesse avec des processus de regroupement de circuits intégrés moins extrêmes, ce qui pourrait à son tour faire baisser le prix de la mémoire DDR4 haute vitesse.
Cette nouvelle technique n'est pas exclusive à la DDR4 mais sera également utilisée dans les futures normes de mémoire DRAM telles que HBM3, DDR5, GDDR6 et LPDDR5. Samsung travaille déjà dur pour commercialiser ces nouveaux types de mémoire dans les plus brefs délais et renforcer ainsi une fois de plus son leadership dans le secteur.
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