Samsung produit déjà en masse la deuxième génération de mémoire lpddr4x de 10 nanomètres
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Samsung Electronics, leader mondial de la technologie de mémoire haute performance pour tous les types d'appareils électroniques, a annoncé aujourd'hui qu'il avait commencé à fabriquer en série la deuxième génération de mémoire LPDDR4X 10 nanomètres.
Samsung présente les détails de ses mémoires LPDDR4X 10 nanomètres de deuxième génération
Ces nouvelles puces mémoire LPDDR4X 10 nanomètres de Samsung amélioreront l'efficacité énergétique et réduiront la consommation de batterie des smartphones haut de gamme et des autres applications mobiles actuelles. Samsung affirme que les nouvelles puces offrent jusqu'à 10% de réduction de puissance et maintiennent le même débit de données de 4, 266 Mb / s que les puces de première génération à 10 nm. Tout cela permettra des solutions considérablement améliorées pour les appareils mobiles phares de la prochaine génération qui devraient arriver sur le marché plus tard cette année ou au cours du premier semestre de 2019.
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Samsung étendra sa ligne de production de mémoire DRAM premium de plus de 70% pour répondre à la forte demande actuelle, qui devrait augmenter. Cette initiative a commencé avec la production en série du premier serveur DRM DDR4 8 Go et 10 nm en novembre dernier et se poursuit avec cette puce de mémoire mobile LPDDR4X 16 Go huit mois plus tard.
Samsung a créé un package DRAM LPDDR4X 8 Go en combinant quatre des puces DRD LPDDR4X 16 Go de 10 nm. Ce package à quatre canaux peut atteindre un débit de 34, 1 Go par seconde et son épaisseur a été réduite de plus de 20% depuis le package de première génération, permettant aux OEM de concevoir des appareils mobiles plus fins et plus efficaces.
Avec ses avancées dans la mémoire LPDDR4X, Samsung augmentera rapidement sa part de marché de la DRAM mobile en fournissant une variété de produits à haute capacité.
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