Samsung a déjà son processus de fabrication prêt à 8 nm
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Samsung est l'un des leaders mondiaux de la fabrication de puces en silicium et n'a pas l'intention de jeter l'éponge, le géant sud-coréen est déjà prêt pour un nouveau processus de fabrication plus raffiné afin d'améliorer les performances de ses puces et celles de tiers qui recourent à sa fonderie.
Samsung a déjà le 8 nm prêt
Samsung a officiellement révélé que son nouveau processus de fabrication LPP (Low Power Plus) 8 nm est prêt pour la production des premières puces, ce nouveau processus offre jusqu'à 10% de performances supplémentaires par rapport au processus 10 nm actuel de l'entreprise et jusqu'à 10% de réduction de surface des transistors.
Ce nœud est un raffinement du nœud de production existant de 10 nm de Samsung, ce qui rend ce processus en fait 10 nm +, mais un changement de nom est appliqué pour le marketing, car nous nous souvenons qu'il n'y a pas de norme en ce qui concerne Mesurer la taille des transistors pour que chaque fonderie puisse l'exprimer différemment. Cela signifie que les processus de fabrication de deux sociétés peuvent être très différents, bien qu’apparemment identiques.
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Les avantages de ce nouveau nœud de processus sont le fait qu'il s'appuie sur la technologie existante de Samsung, permettant à Samsung d'accélérer rapidement la production de 8 nm en adaptant sa technologie existante de 10 nm. Samsung a également pu passer la qualification avec ce nouveau nœud trois mois avant la date prévue, permettant à la société de produire des puces fonctionnelles de 8 nm plus tôt que prévu.
Le 8 nm sera le dernier nœud de Samsung avant son passage à l'EUV (Extreme Ultra Violet) avec son nœud de fabrication de 7 nm, inaugurant une nouvelle ère pour la loi de Moore, permettant aux fabricants de briser certaines des limitations qui ont été déjouant les progrès de l'industrie.
Police Overclock3d7LPP sera la première technologie de traitement de semi-conducteurs à utiliser une solution de lithographie EUV. L'effort de collaboration de Samsung et ASML a développé 250 W de puissance EUV maximale, ce qui est le jalon le plus important pour l'insertion d'EUV dans la production à haut volume. Le déploiement de la lithographie EUV brisera les barrières de l'échelle de la loi de Moore, ouvrant la voie à des générations de technologie de semi-conducteur à un nanomètre.
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