La mémoire mram d'Intel est prête pour la production de masse
Table des matières:
- MRAM promet de remplacer les mémoires DRAM et NAND Flash
- Il peut conserver des informations jusqu'à 10 ans et résiste à 200 degrés de température
Un rapport EETimes montre que la mémoire MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) d'Intel est prête pour une production manufacturière à haut volume. La mémoire MRAM est une technologie de mémoire non volatile, ce qui signifie qu'elle peut conserver des informations même en cas de perte de puissance, elle ressemble plus à un périphérique de stockage qu'à la mémoire RAM standard.
MRAM promet de remplacer les mémoires DRAM et NAND Flash
La mémoire MRAM est en cours de développement pour remplacer à l'avenir la mémoire DRAM (RAM) et la mémoire flash NAND.
MRAM promet d'être beaucoup plus facile à fabriquer et d'offrir des taux de performance supérieurs. Le fait que la MRAM s'est avérée capable d'atteindre des temps de réponse de 1 ns, mieux que les limites théoriques actuellement acceptées pour la DRAM, et des vitesses d'écriture beaucoup plus élevées (jusqu'à des milliers de fois plus rapides) par rapport à la technologie flash NAND, sont les raisons pour lesquelles ce type de mémoire est si important.
Il peut conserver des informations jusqu'à 10 ans et résiste à 200 degrés de température
Avec les fonctionnalités actuelles, MRAM permet une conservation des données de 10 ans à 125 degrés Celsius et un haut degré de résistance. En plus de la résistance élevée, la technologie intégrée de 22 nm MRAM aurait un débit binaire supérieur à 99, 9%, un exploit étonnant pour une technologie relativement nouvelle.
On ne sait pas exactement pourquoi Intel utilise un processus de 22 nm pour la fabrication de ces mémoires, mais nous pouvons penser qu'il ne s'agit pas de saturer la production à 14 nm, qui est celle utilisée par ses processeurs CPU. Ils n'ont pas non plus commenté combien de temps nous devrons attendre pour voir cette mémoire en action pour le marché des PC.
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