Samsung confirme la production de masse d'une mémoire DDR4 de 10 nm
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Samsung a confirmé le début de la production de masse de mémoire DDR4 DRAM avec une densité de 8 Gibagit et avec son processus FinFET 10nm de deuxième génération avancé, qui offrira de nouveaux niveaux d'efficacité énergétique et de performance.
Samsung parle de sa deuxième génération de mémoire DDR4 10 nm
La nouvelle mémoire DDR4 de 10 nm et 8 Go de Samsung offre 30% de productivité de plus que la génération 10n précédente, plus elle offre 10% de performances et 15% d'efficacité énergétique en plus, tout cela grâce utilisant une technologie de conception de circuits brevetée avancée.
Le nouveau système de détection de données permet une détermination plus précise des données stockées dans chaque cellule, ce qui conduit apparemment à une augmentation considérable du niveau d'intégration des circuits et de la productivité de fabrication. Cette deuxième génération de mémoire de 10 nm utilise un espaceur d'air autour de ses lignes de bits pour diminuer la capacité parasite, ce qui facilite non seulement un niveau d'échelle plus élevé, mais également un fonctionnement rapide des cellules.
Fudzilla font«En développant des technologies innovantes dans la conception et le processus des circuits DRAM, nous avons surmonté ce qui a été un grand obstacle à l'évolutivité de la DRAM. Deuxième génération de DRAM de classe 10 nm, nous allons accroître notre production globale de DRAM 10 nm de manière plus agressive, pour répondre à la forte demande du marché et continuer à renforcer notre compétitivité commerciale."
«Pour permettre ces réalisations, nous avons appliqué de nouvelles technologies, sans utiliser de processus EUV. L'innovation ici comprend l'utilisation d'un système de détection de données cellulaires très sensibles et d'un système progressif «d'espaceurs d'air». »
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